晶振的選擇與應用
來源：http://m.lbfp.com.cn 作者：yijindz 2012年04月30
任何竄入到振蕩電路中的噪聲信號都無疑對計時電路的準確性產生影響，在設計實時時鐘
電路的印刷線路板必須采取一定的預防措施：
1、SMD晶振的位置要遠離任何有高速數據通過的串行或并行總線，高速數據傳輸會在振蕩電路
上產生感應信號。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設地線，以免形成電容影響晶振頻率的準確性。
關于第3點非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩定。
如果晶振不起振也有可能線路板問題，焊接如果偏離一點位置，會有一些不一樣的影響
購買晶振時要注意的幾項參數
4、 標稱頻率：晶體技術條件中規定的頻率，通常標識在產品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產生的頻率。
6、調整頻差：在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
13、動態電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
15、泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
電路的印刷線路板必須采取一定的預防措施：
1、SMD晶振的位置要遠離任何有高速數據通過的串行或并行總線，高速數據傳輸會在振蕩電路
上產生感應信號。
2、 在晶振的周圍布一條不封閉的地線，地線的一端連接到芯片的地線，地線可以有效地阻擋外部的噪聲。
3、在晶振以及芯片所在位置的電路板的背面不要鋪設地線，以免形成電容影響晶振頻率的準確性。
關于第3點非常重要 ，至少要保證晶體和芯片的OSC引腳附件留出一定空間不要鋪地，否則很容易形成寄生電容導致石英水晶振子起振困難或者振蕩不穩定。如果晶振不起振也有可能線路板問題，焊接如果偏離一點位置，會有一些不一樣的影響
購買晶振時要注意的幾項參數
4、 標稱頻率：晶體技術條件中規定的頻率，通常標識在產品外殼上。
5、工作頻率：晶體與工作電路共同產生的頻率。
6、調整頻差：在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
7、溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
8、老化率：在規定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化
9、靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
10、負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
11、負載電容系列是：8PF、12.5PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
12、負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
13、動態電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
14、負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
14、基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。15、泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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