GT切200℃超高溫石英振蕩器來啦,高溫那都不是事
來源：http://m.lbfp.com.cn 作者：億金電子 2020年09月15
GT切200℃超高溫石英振蕩器來啦,高溫那都不是事
耐高溫石英振蕩器主要是應用在工業設備,以及一些環境較為復雜的產品或是設備之上,比如通信產品上,在比如車載電子產品上;一般來講車載級別的晶振相較于工業級別晶振來說工作溫度要高,工業級標準是-40-85℃,車載級別要求達到-40-105℃,甚至是-40-125℃;隨著自動駕駛的發展,高溫晶振的需求及要求都在不斷提升;在這樣的背景下,GT切200℃超高溫石英振蕩器問世了,那么這種晶振有有怎樣的優勢存在呢?
2020年6月5日,日本:RIVER的新型振蕩器在200攝氏度以下的溫度下提供的頻率基準精確到50ppm以內.它具有7.9MHz至1.124GHz的頻率范圍,并帶有電壓控制選項和三種不同的輸出類型.該振蕩器基于一種稱為GT-Cut的新型諧振器,與AT-Cut石英諧振器相比,該振蕩器在溫度范圍內具有更好的穩定性,具有更高的能效,并且不易受到沖擊和振動的影響.
目標應用包括汽車和電動汽車中的高溫感應,油井鉆探儀器和遙測,5G,航空航天以及工業過程控制.GT-cut振蕩器的更好穩定性將提高這些行業中測量的準確性和可靠性.
RIVERELETEC首席執行官WakaoFujio先生說:”這些基于我們新的GT切割諧振器的新型振蕩器將使我們的客戶能夠在最具挑戰性的高溫環境中提高其石油鉆探和汽車儀器的精度.GT-cut諧振器,我們的新型Lamb波諧振器以及我們推出的世界上最小的音叉,證明了我們繼續致力于研發投資,以進一步擴大RIVER在時間參考行業的長期領導地位.”
大河晶振是一家日本公開交易的技術公司,通過為每一代可聽,可穿戴和定位的新一代產品提供世界上最小的石英諧振器,從而為第一級智能手機和消費電子公司提供競爭優勢.RIVER在光刻制造方法,新穎的晶體包裝和創新的密封技術,EBS,MDS方面的專業知識在過去的五十年中一直將其保持在行業的前列.
這款晶振的特征如下:
1)在寬工作溫度范圍(-40℃?200℃)下獲得了很高的頻率精度
2)廣泛的寬頻率輸出范圍(高達1124MHz)
3)提供多種輸出格式(CMOS/LVDS/LVPECL)
4)VCXO(壓控振蕩器)模式可選
溫頻特性曲線如下:
規格參數如下表所示:
那么有人會問為什么是GT切,現在不是AT切常用嗎?從這款壓控晶振的溫頻特性圖可知,GT切和AT切都能夠使得晶振的工作溫度能夠達到200℃,甚至更高,但是AT切的產品頻率隨溫度變化比較大,溫度到極限之后對頻率穩定性的影響非常大;反觀GT切方式的,特性曲線幾乎層直線,這就表明頻率隨溫度的變化很小,在高溫環境下也很穩定,這就是采用GT切的理由.
耐高溫石英振蕩器主要是應用在工業設備,以及一些環境較為復雜的產品或是設備之上,比如通信產品上,在比如車載電子產品上;一般來講車載級別的晶振相較于工業級別晶振來說工作溫度要高,工業級標準是-40-85℃,車載級別要求達到-40-105℃,甚至是-40-125℃;隨著自動駕駛的發展,高溫晶振的需求及要求都在不斷提升;在這樣的背景下,GT切200℃超高溫石英振蕩器問世了,那么這種晶振有有怎樣的優勢存在呢?
目標應用包括汽車和電動汽車中的高溫感應,油井鉆探儀器和遙測,5G,航空航天以及工業過程控制.GT-cut振蕩器的更好穩定性將提高這些行業中測量的準確性和可靠性.
RIVERELETEC首席執行官WakaoFujio先生說:”這些基于我們新的GT切割諧振器的新型振蕩器將使我們的客戶能夠在最具挑戰性的高溫環境中提高其石油鉆探和汽車儀器的精度.GT-cut諧振器,我們的新型Lamb波諧振器以及我們推出的世界上最小的音叉,證明了我們繼續致力于研發投資,以進一步擴大RIVER在時間參考行業的長期領導地位.”
大河晶振是一家日本公開交易的技術公司,通過為每一代可聽,可穿戴和定位的新一代產品提供世界上最小的石英諧振器,從而為第一級智能手機和消費電子公司提供競爭優勢.RIVER在光刻制造方法,新穎的晶體包裝和創新的密封技術,EBS,MDS方面的專業知識在過去的五十年中一直將其保持在行業的前列.
這款晶振的特征如下:
1)在寬工作溫度范圍(-40℃?200℃)下獲得了很高的頻率精度
2)廣泛的寬頻率輸出范圍(高達1124MHz)
3)提供多種輸出格式(CMOS/LVDS/LVPECL)
4)VCXO(壓控振蕩器)模式可選
溫頻特性曲線如下:
| Item | Specifications | Unit | Remarks | |||
| Min | Nom | Max | ||||
| Nominalfrequency | 7.9 | 1124 | MHz | |||
| FrequencyDeviation | -20 | - | +20 | ppm | -40~+125°c | |
| -50 | - | +50 | -40~+200°c | |||
| Supplyvoltage(VDD) | TypeL | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V | |
| TypeN | 2.375 | 2.5 | 2.625 | |||
| Currentconsumption | CMOS | 20 | 25 | mA | Noloaded | |
| LVDS | 23 | |||||
| LVPECL | 54 | |||||
| Randomjitter(RJ) | 6 | ps | VDD=3.3V | |||
| Frequencypullingrange | ±50 | ppm | Positiveslope,whenVCXOselected | |||
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