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首頁晶振行業動態 EFR32FG22系列專有無線2.4Ghz SoC Silicon晶振,您不容錯過

EFR32FG22系列專有無線2.4Ghz SoC Silicon晶振,您不容錯過

來源:http://m.lbfp.com.cn 作者:億金電子 2022年05月27

    Silicon晶振EFR32FG22系列2專有無線2.4Ghz SoC EFR32FG22(FG22)專有無線2.4Ghz SoC解決方案是無線Gecko系列2平臺的一部分。FG22SoC將38.4MHz Arm®Cortex®-M33內核與TrustZone以及接收靈敏度達-102.3dBm的高性能無線電集成在一起。這款SoC將超低傳輸和接收功率(+6dBm下為8.2mATX,3.6mARX)、1.2µA深入睡眠模式功率以及諸如RFSense之類創新低功耗功能組合在一起,提供業界領先的能源效率,可延長電池有限或能量收集選項的產品(如電子貨架標簽和工業無線傳感器節點使用的產品)的運行壽命。

510FBA148M500AAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAGR Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm

    本應用說明旨在幫助用戶利用能夠實現優良RF性能的設計實踐,設計EFR32系列2無線Gecko產品組合的PCB。2.4GHz EFR32系列2無線MCU的匹配原則載于應用說明AN930.2:EFR32系列22.4GHz匹配指南中,而1GHz以下EFR32系列2設備的匹配過程在AN923.2:EFR32系列21GHz以下匹配指南中予以討論。以下應用說明詳細介紹了與MCU相關的主題:AN0918.2:系列1至無線Gecko系列2兼容性和遷移指南、AN0948.2:EFR32系列2電源配置和DC-DC,以及AN0955:CRYPTO。SiliconLabsMCU和無線入門套件以及SimplicityStudio提供強大的開發和調試環境。為利用自定義硬件的功能和特性,SiliconLabs推薦在自定義硬件設計中包含調試和編程接口連接器。有關包含這些連接器接口的詳細信息和優點在AN958:自定義設計的調試和編程接口中有詳細闡述。EFR32系列2的電源配置載于AN0002.2:EFR32無線Gecko系列2硬件設計注意事項。RF性能很大程度上依賴于PCB布局以及匹配網絡的設計。為實現最佳性能,SiliconLabs建議使用下列部分所述的PCB布局設計指南。

511FBA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511SAA20M0000AAG Silicon晶振 Si511 20MHz 1.8V ±50ppm
510BBA150M000BAG Silicon晶振 Si510 150MHz 3.3V ±25ppm
511BCB125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±20ppm
510FBA154M875AAG Silicon晶振 Si510 154.875MHz 2.5V ±25ppm
510FBA157M625AAG Silicon晶振 Si510 157.625MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000AAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511JBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 1.8V ±25ppm

    使用EFR32系列2無線MCU的設計建議已使用SiliconLabs提供的參考設計完成廣泛測試。建議設計者按原樣使用參考設計,因為其能夠盡可能減小寄生現象導致或不良元件布置和PCB排線產生的失諧作用。EFR32參考設計文件位于SimplicityStudio的“套件文檔”選項卡下。設計的緊湊型RF部分(不包括50Ω單端天線)以藍框圈出,強烈建議使用圈出的RF布局,以避免出現任何可能的失諧作用。下圖顯示了設計中圈出的緊湊型RF部分。

    EFR32xG21無線MCU的匹配網絡類型本節將提供建議與EFR32xG21搭配使用的匹配網絡。務必強調的一點是,調節后的匹配組件值很大程度上依賴于布局圖,因此建議遵循3.2.2EFR32xG21匹配網絡的其他布局設計指南中記錄的布局指導原則。EFR32xG21無線MCU可提供最大+20dBm的功率。所有EFR32xG21參考設計均使用L系列并聯C梯級匹配網絡。對于低功耗應用(≤10dBm),3元素C-L-C網絡已足夠,而高功耗解決方案(>10dBm)則需要5元素匹配。對于0dBm輸出功率,建議的匹配網絡顯示在Figure2.4適用于0dBm輸出功率的EFR32xG21的建議匹配網絡onpage5。

510KCA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 1.8V ±20ppm
590AB70M6560DG Silicon晶振 Si590 70.656MHz 3.3V ±25ppm
590FA200M000DG Silicon晶振 Si590 200MHz 2.5V ±50ppm
590DA156M250DG Silicon晶振 Si590 156.25MHz 3.3V ±50ppm
591BB300M000DG Silicon晶振 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm
550CD74M2500DGR Silicon晶振 Si550 74.25MHz 3.3V ±50ppm
530CA28M6000DG Silicon晶振 Si530 28.6MHz 3.3V ±50ppm
530AC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530BC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530EC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531AC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531BC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531EC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
531FC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC25M0000DGR Silicon晶振 Si531 25MHz 2.5V ±7ppm
530BC25M0000DGR Silicon晶振 Si530 25MHz 3.3V ±7ppm
514GBB000118AAG Silicon晶振 Si514 156.25MHz 2.5V ±25ppm

    當然,EFR32設備的TX輸出功率增加的同時,諧波信號絕對大小也會相應地提高。由于大部分監管標準(例如FCC、ETSI、ARIB等)要求諧波信號衰減至一定絕對功率級別以下(以瓦特或dBm為單位),所需的低通濾波量通常大于使用較高輸出功率的EFR32的RF無線電板。EFR32xG21的所有無線電板均包含一個50ΩIFA(反向F天線),其連接至匹配網絡的50Ω輸出,能夠測量輻射性能。可在這些無線電板上通過U.FL連接器進行可選傳導測量。天線旁有一個額外的元件(L3),其基本上不屬于匹配網絡。對于自定義設計,建議保留該系列元素的選項以進行額外的諧波抑制,其默認值應為0?。這些無線電板上的IFAPCB天線優化為50?阻抗,無任何外部離散天線匹配網絡。為了實現最大靈活性,建議在自定義設計時保留L3與天線之間的3元素PI結構天線匹配網絡選項。Note:若使用兩個RF引腳(RF2G4_IO1和RF2G4_IO2),匹配可能會相互耦合和失諧,因此理想匹配是僅填充一個引腳。

530RB150M000DG Silicon晶振 Si530 150MHz 2.5V ±20ppm
530RB200M000DG Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530AC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530BC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530FC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531AC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531FC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm

    EFR32系列2無線MCU的總體布局設計指南設計RF相關布局以實現優良RF性能的一般指南如下:
•對于自定義設計,請盡可能使用與參考設計相同數量的PCB層。與參考PCB層數出現偏差會導致不同的PCB寄生電容,無法實現匹配網絡的最佳形態。如果需要層數與參考設計不同的設計,請確保頂層和內部第一層之間的距離與參考設計相似,因為這個距離決定了接地的寄生電容值。否則可能會出現匹配網絡失調,可能需要微調元件值。

531EC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530BC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531AC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531EC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm

•避免接地平面敷金屬分離。建議盡可能多地在PCB上創建均一的接地平面,并使其不被布線分離。而且,匹配網絡與EFR32IC裸焊盤接地之間的接地路徑應清晰,并在至少一個PCB層上暢通無阻。接地平面分離的唯一例外是EFR32匹配網絡和HFXO區域,在這些位置,接地引腳不應連接至頂層接地。有關這些例外情況的更多信息,請參閱3.2EFR32系列2無線MCU的布局。

550AE100M000DGR Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm
530BC130M250DG Silicon晶振 Si530 130.25MHz 3.3V ±7ppm
550AE100M000DG Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm
530BC154M000DG Silicon晶振 Si530 154MHz 3.3V ±7ppm
530AC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530BC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530BC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530BC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530EC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530FC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm

•請使用盡可能多的接地孔(尤其是在GND引腳附近),以盡可能降低不同層的接地灌流和GND引腳之間的串聯寄生電感。
•請沿PCB邊緣和內部GND金屬灌流邊緣使用一系列GND針腳孔。孔之間的最大距離應小于第10次諧波的Lambda/10(參考無線電板上孔之間的距離一般為40–50mil)。該距離能夠在這些邊緣的彌散場造成的高諧波下降低PCB輻射。
•對于兩層以上的設計,建議在內層放置盡可能多的走線(甚至是數字走線),確保頂層和底層有大規模的連續GND灌流。

531AC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531AC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531EC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531EC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530CA40M0000BG Silicon晶振 Si530 40MHz 3.3V ±50ppm
531AA640M000BG Silicon晶振 Si531 640MHz 3.3V ±50ppm
501BCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm

•避免使用長和/或薄的傳輸線連接與RF相關的元件。否則由于分布式寄生電感,可能發生某些失諧作用。此外,請盡可能縮短互連線,降低接地的并聯寄生電容。但是,相鄰分立元件的偶聯可能會增加。
•在不同寬度(即不同阻抗)的傳輸線之間使用遞變線路,以減少內部反射。
•避免使用回路和長線,以消除共振。它們還可用作不良輻射體,尤其是在諧波上。
•請使用一些旁路電容確保優良的VDD濾波(尤其是工作頻率范圍)。電容的串聯自諧應靠近濾波頻率。過濾最高頻率的旁路電容應最接近EFR32的VDD引腳。除基礎頻率外,應過濾晶體/時鐘頻率及其諧波(最高3次),以避免向上變頻激勵。

501ACA10M0000CAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000CAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BAA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JCA20M0000BAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000BAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

•使用多個孔將晶體殼接地,避免未接地部件的輻射。請勿斷開和懸空任何可能是不良輻射體的金屬。請避免引導電源走線靠近晶體或在晶體下方,或者與晶體信號或時鐘走線并聯。
•確保RF相關部件(尤其是天線)遠離直流轉換器輸出和相關的直流元件。
•請避免GPIO線路靠近RF線、天線或晶體或在其下方,或者與晶體信號并聯。請使用GPIO線上盡可能最低的偏差率,降低對RF或晶體信號的串擾。

501JAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JCA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JCA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm

•請使用盡可能短的VDD走線。VDD走線可以是隱藏的不良輻射體,以便盡可能簡化VDD布線,并使用帶有很多針腳孔的大規模連續GND灌流。要簡化VDD布線,請盡量避免VDD走線的星形拓撲(即避免連接一個通用點中的所有VDD走線)。
•在天線附近使用絲網會對天線的絕緣環境造成輕微的影響。盡管這一影響通常可以忽略,但是請盡量避免在天線或天線灌流遮擋區使用絲網。

501HCA26M0000CAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA27M0000CAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000BAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA27M0000CAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA40M0000BAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000CAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000DAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000DAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501EAA48M0000BAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000DAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501ACA100M000BAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000CAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm

    EFR32xG21匹配網絡的其他布局設計指南
•強烈建議在C1電容與EFR32xG21IC的對應TX/RX引腳(RF2G4_IO1或RF2G4_IO2)之間保持大約1mm的距離(在BRD4180A無線電板上,C1電容與TX/RX引腳之間的實際距離為0.95mm)。此短線的額外寄生電感是匹配網絡的一部分,如果未保持精確,可能會提高諧波水平。

501ACA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000DAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000DAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA100M000DAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000BAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000CAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm

•相鄰匹配網絡元件應盡可能彼此靠近,以盡可能降低任何接地的PCB寄生電容以及元件之間的串聯寄生電感。
•在大多數情況下,將匹配網絡中的連續諧波濾波電容旋轉到傳輸線的相對側,可以取得較好的諧波性能。然而,EFR32xG21芯片的驗證結果表明,對匹配網絡元件應用這種定位會提高諧波水平。因此,對于EFR32xG21設備,建議將匹配網絡中鄰近的并聯電容連接至傳輸線的相同側。

501ABA8M00000CAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ACA10M0000BAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000BAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000CAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000CAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000BAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000BAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000BAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BAA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm

•應使用接地導通孔將匹配網絡中的并聯電容直接連接至PCB第2層接地平面。為獲得最佳諧波性能,應避免將接地引腳連接至頂層的公共接地金屬上。
•應加厚電容GND引腳附近的走線,以改善散熱帶的接地效應。這能夠盡可能降低接地灌流和GND引腳之間的串聯寄生電感。

501BAA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JCA20M0000BAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000BAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JCA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

•EFR32xG21芯片有2個等效的單端TX輸出/RX輸入。若只將其中一個輸出/輸入與10dBm或20dBmPA匹配網絡搭配使用,應將另一個直接連接至裸焊盤接地。請勿將未使用的TX/RX引腳連接至PCB的公共頂層接地,因為這可能會提高諧波水平。
•若要獲得更好的諧波性能,另建議將引腳11(RFVSS)直接連接至裸焊盤接地,而不是連接至公共頂層接地。
•在匹配網絡區域,請至少在布線/盤與相鄰GND灌流之間相隔0.3mm。該方法能夠盡可能降低寄生電容并減輕失諧作用。

501AAA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JCA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000BAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
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