陶瓷霧化片 Atomization Piece
陶瓷晶振 Ceramic SMD crystal
陶瓷濾波器 CeramicFilter
聲表面濾波器|諧振器 SAW filter
千赫晶體KHZ KHz Crystal
石英晶振 Quartz Crystal
貼片晶振 SMD crystal
NJR晶振 
應(yīng)達(dá)利晶振 
日本大真空晶體 KDS晶振
精工晶振 SEIKO晶體
日本村田陶瓷晶振 
西鐵城晶振 CITIZEN晶振
愛普生晶振 EPSON晶振
NSK晶振 NSK晶振
大河晶振 大河晶振
CTS晶振 美國CTS晶振
TXC晶振 TXC晶振
鴻星晶振 鴻星晶振
加高晶振 加高晶振
百利通亞陶晶振 百利通亞陶晶振
泰藝晶振 泰藝晶振
京瓷晶振 京瓷晶振
NDK晶振 NDK晶振
希華晶振 希華晶振
富士晶振 富士晶振
MERCURY晶振 
NAKA晶振 
SMI晶振 
安基晶振 
NKG晶振 
Renesas瑞薩晶振 
ITTI晶振 
CTS晶振 
Abracon晶振 
微晶晶振 
瑞康晶振 
FOX晶振 
Statek晶振 
ECS晶振 
IDT晶振 
高利奇晶振 
SiTime晶振 
日蝕晶振 
康納溫菲爾德晶振 
Jauch晶振 
維管晶振 
拉隆晶振 
格林雷晶振 
Pletronics晶振 
AEK晶振 
AEL晶振 
Cardinal晶振 
Crystek晶振 
Euroquartz晶振 
Frequency晶振 
GEYER晶振 
ILSI晶振 
KVG晶振 
MMDCOMP晶振 
MtronPTI晶振 
QANTEK晶振 
QuartzCom晶振 
QuartzChnik晶振 
SUNTSU晶振 
Transko晶振 
WI2WI晶振 
韓國三呢晶振 - ARGO晶振
ACT晶振 
Milliren晶振 
韓國Lihom晶振 
rubyquartz晶振 
美國Oscilent晶振 
韓國SHINSUNG晶振 
PDI晶振 
C-TECH晶振 
IQD晶振 
Microchip晶振 - Fortiming晶振
CORE晶振 
NIPPON晶振 
NIC晶振 
QVS晶振 
Bomar晶振 
Bliley晶振 
GED晶振 
FILTRONETICS晶振 
STD晶振 
Q-Tech晶振 
Anderson晶振 
Wenzel晶振 
NEL晶振 
EM晶振 
德國PETERMANN晶振 
荷蘭FCD-Tech晶體 
HEC晶振 
FMI晶振 
Macrobizes晶振 
德國AXTAL晶振 
Silicon晶振 - SKYWORKS晶振
石英晶體振蕩器 石英晶體振蕩器
壓控晶振 壓控晶振
溫補(bǔ)晶振 溫補(bǔ)晶振
壓控溫補(bǔ)晶振 壓控溫補(bǔ)晶振
恒溫晶振 恒溫晶振
差分晶振 差分晶振
32.768K有源晶振 32.768K有源晶振
座機(jī): 0755-27876565
手機(jī): 18924600166
E-mail：[email protected]
QQ:857950243
地址：深圳市寶安區(qū)新安107國道旁甲岸路
企業(yè)博客
更多>>DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補(bǔ)振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機(jī)晶振,1XXB12288EAA
- 頻率：10~40.00MHZ
- 尺寸：2.5*2.0mm詳細(xì)請(qǐng)瀏覽PDF文檔
- 應(yīng) 用： 小型,薄型表面貼片型晶體諧振器,"1XXB12288EAA"特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,超小型,薄型,質(zhì)地輕,具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性耐沖擊性在辦公自動(dòng)化家電相關(guān)電器領(lǐng)域及.Bluetooth
-
-
航欄(11).jpg)
DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補(bǔ)振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機(jī)晶振,大真空主要生產(chǎn)晶振,貼片晶振,"1XXB12288EAA"石英晶體諧振器,水晶振動(dòng)子,手表，液晶模塊，以及技術(shù)開發(fā)新型的電子元器件等產(chǎn)品.大真空有源晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
| 項(xiàng)目 | 記 號(hào) | DSB221SJ | 條 件 |
| 頻率 | f_nom | 10~40MHZ | |
| 頻率容許偏差 | f_tol | ±20x10−6, ±50x10−6 | |
| 頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5°C | |
| 二級(jí)溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
| 負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
| 串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
| 絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) | DLmax. | 1μW | |
| 推薦激勵(lì)等級(jí) | DL | 0.1μW | |
| 并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
| 頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C，第一年 |
| 工作溫度范圍 | T_use | -40°C～+85°C | |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -40°C～+125°C | 單件保管 |
.jpg)
.jpg)
請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器晶體的兩個(gè)端子的信號(hào)，"1XXB12288EAA"如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下：
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。"1XXB12288EAA"該晶體應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
該公式的電容與頻率是如下：
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。"1XXB12288EAA"該晶體應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
方法2：采用小電阻（RR）的晶體。
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。
我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。
.jpg)
KDS日本大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場(chǎng),現(xiàn)如今大真空品牌在國內(nèi)電子元件中深入民心以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).高超的生產(chǎn)技術(shù)一流的生產(chǎn)設(shè)備, 自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢(shì)既而節(jié)省勞動(dòng)力,如有用到大真空晶振貼片或插件的客戶請(qǐng)與國內(nèi)深圳市億金電子大真空株式會(huì)社指定代理商聯(lián)系.日本大真空株式會(huì)社,"1XXB12288EAA"KDS貼片晶振品牌實(shí)力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺(tái)灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠.
日本大真空晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
.jpg)
2003年大真空通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,"1XXB12288EAA"秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.
.jpg)
聯(lián)系人：黃娜
公司：深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話：0755-27876565
手機(jī)：18924600166
QQ：857950243
郵箱：[email protected]
網(wǎng)站：http://m.lbfp.com.cn
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)新安107國道旁
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話：0755-27876565
手機(jī)：18924600166
QQ：857950243
郵箱：[email protected]
網(wǎng)站：http://m.lbfp.com.cn
地址：廣東省深圳市寶安區(qū)新安107國道旁
銷售代表
.jpg)