NDK晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-8.000M-STD-CSF-6晶振貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
        NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立.
        現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標而努力.
        日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產(chǎn)品的制造與銷售

型號		NX8045GB
包裝（pcs）		3000/pcs
頻率范圍(MHZ)		4 to 40
頻率公差		Max. ±25 ×10-6	Max. ±50 ×10-6	Max. ±100 ×10-6
工作溫度		0 to +70	0 to +85	0 to +85
保存溫度		–55 to +125
電源電壓（V）		+2.5 ± 5 %, +3.3 ± 10 %
電流消耗	Enable (mA)	Max. 60 (Typ. 36) (STAND-BY=VCC or OPEN, RL=50Ω)
	Stand-by (μA)	Max. 30 (STAND-BY=GND)
輸出電壓(V)		VOL : VCC –1.81 to VCC 1.62 (DCcharacteristics)
		VOH : VCC –1.025 to VCC –0.88    (DC characteristics)
上升/下降時間(單位:納秒)		Max. 1 (20 to 80% Waveform)
對稱(%)		45 to 55 (at 50% Waveform)
輸出負載(Ω)		50 (Terminated to VCC–2.0V)
相位抖動		Max. 1 (Offset frequency : 12kHz to 20MHz)

產(chǎn)品制作
        1.芯片清洗：
目的再清除芯片表面因硏磨殘流的污物、油物,以保證鍍銀(金)層附著牢固良好.
        2.蒸鍍(被銀):
用真空鍍膜原理在潔凈的石英芯片上蒸鍍薄銀(金)層,形成引出電極,并使其頻率達到一定范圍. 
        3.上架點膠:
將鍍上銀（金）電極的芯片裝在基座上,點上導電膠,并高溫固化,芯片經(jīng)過鍍金Pad (DIP型:支架或彈簧)即可引出電信號.
       4.微調:
使用真空鍍膜原理,將銀(金)鍍在芯片表面的銀(金)電極上,達到微調晶體諧振器的頻率達到規(guī)定要求.(插腳類產(chǎn)品產(chǎn)品較常使用)
使用Ar離子轟擊芯片表面的金(銀)電極,將多余的金(銀)原子蝕刻下來,達到微調晶體諧振器的頻率達到規(guī)定要求.(較適合小型化SMD產(chǎn)品使用)
NDK電子自公司成立以來,秉持對環(huán)境保護承諾之宣言：『還給后代一個干凈的地球』,所有活動應遵從.NDK晶振,NX8045GB晶振,NX8045GB-8.000M-STD-CSF-6晶振
        NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標,以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因.它也有助于減少（抑制）CO2排放量,通過使用最先進的技術,實現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要.
        日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振的新概念的溫補晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措.制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負荷物質—這些是倡議的支柱

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