Bomar晶振使用規(guī)格定義
來源：http://m.lbfp.com.cn 作者：億金電子 2019年03月12
美國(guó)BomarCrystal成立至今成為國(guó)際有名的頻率元件制造商,致力于滿足各領(lǐng)域客戶對(duì)于晶振的使用需求.為了更方便的服務(wù)廣大用戶,在世界各地設(shè)有代理商以及經(jīng)銷商,億金電子就是其中之一.以下為Bomar晶振使用規(guī)格定義.
Bomar石英晶體振蕩器
一種定時(shí)裝置,由晶體和振蕩電路組成,提供特定參考頻率的輸出波形.
VCXO晶振（壓控晶體振蕩器）
一種振蕩器,其輸出頻率隨振蕩器控制引腳的電壓變化而變化.
TXCO晶振（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）
一種調(diào)節(jié)溫度變化頻率的振蕩器,通常對(duì)校準(zhǔn)頻率進(jìn)行周期性的外部調(diào)整.這是為了補(bǔ)償晶體隨時(shí)間的老化.
OCXO晶振（烤箱控制晶體振蕩器）
一種使用烤箱穩(wěn)定頻率變化的振蕩器,也是我們常說的恒溫晶體振蕩器.
晶振的標(biāo)稱頻率（或中心頻率）
振蕩器的指定參考頻率,通常以兆赫茲和千赫茲為單位,32.768K是最為常用的千赫茲晶振.
頻率穩(wěn)定性
與一組操作條件相關(guān)的中心頻率的頻率偏差量,以百萬分率（ppm）表示.這些條件包括：工作溫度范圍,電源電壓和輸出負(fù)載.
晶振晶體的頻率容差
晶振允許偏差,與參考溫度下的標(biāo)稱頻率（通常為25℃）
工作溫度范圍
滿足規(guī)格特性的溫度范圍.這需要仔細(xì)說明,因?yàn)樗鼤?huì)影響成本.
存儲(chǔ)溫度范圍
有源晶振溫度范圍,可以保持放電狀態(tài)的規(guī)格特性（無輸入電壓,電流或功率）.暴露于該溫度以上的溫度可能導(dǎo)致特性退化或破壞.
頻率老化
在指定條件下運(yùn)行指定時(shí)間長(zhǎng)度時(shí)的頻率漂移量.
邏輯層次
定義為Ouptut電壓邏輯高電平或“邏輯1”和輸出電壓邏輯低電平或“邏輯0”電壓“0”電平（最大值）：+0.4VDCTTL,+0.5VDCHCMOS用于Vdd=5VDC（Vdd：電源）電壓）電壓“1”電平（最?。?2.5VDCTTL,+4.5VDCHCMOS,Vdd=5VDC
有源晶振的三態(tài)輸出
具有此功能的振蕩器允許輸出進(jìn)入高阻態(tài).通過將邏輯控制電壓施加到振蕩器的引腳1來激活該特征.
電源電壓（或輸入電壓）
振蕩器工作所需的直流輸入電壓.目前通常使用5VDC,其中3.3VDC用于便攜式設(shè)備.
電源電流（或輸入電流）
振蕩器從電源消耗的電流量,通常以毫安為單位.
上升/下降時(shí)間
上升時(shí)間定義為從輸出邏輯低到輸出邏輯高的轉(zhuǎn)換時(shí)間.下降時(shí)間定義為從輸出邏輯高到輸出邏輯低的轉(zhuǎn)換時(shí)間.
占空比（或?qū)ΨQ性）
輸出波形均勻性的度量.全周期和半周期的比率.對(duì)于CMOS,負(fù)載額定值為1/2VDC,TTL負(fù)載額定值為1.4VDC.
拉動(dòng)VCXO晶振的范圍
參考條件下VCXO的輸出頻率可通過外部直流控制電壓改變的標(biāo)稱頻率范圍,以ppm表示.
VCXO晶振線性
定義為輸出頻率與最佳擬合直線控制電壓的百分比變化.
啟動(dòng)時(shí)間
從振蕩器上電到振蕩器達(dá)到穩(wěn)定振蕩的具體時(shí)間.
輸出負(fù)載
振蕩器驅(qū)動(dòng)其他設(shè)備或風(fēng)扇的能力.TTL器件以可驅(qū)動(dòng)的門數(shù)指定.CMOS輸出以pF指定.
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